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光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种关键的耐蚀剂刻薄膜材料。它在紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射下，溶解度会发生变化，主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。由于光刻胶生产技术复杂、品种规格多样，在电子工业集成电路制造中，对其有着极为严格的要求，而保证光刻胶产品的厚度便是其中至关重要的一环。

项目需求

本次项目旨在测量光刻胶厚度，光刻胶本身厚度处于 30μm-35μm 范围，测量精度要求达到纳米级。测量幅面为 135mm×135mm，按照客户要求，需在光刻胶表面选取 13×13 个点进行测量。

测量方案

针对客户的需求，我们精心制定了测量方案，选用膜厚仪搭配位置移动平台来完成测量工作。该膜厚仪基于白光干涉技术，其工作原理如下：光源发射的光经过扩束准直后，由分光棱镜分成两束，一束经被测表面反射，另一束经参考镜反射。这两束反射光最终汇聚并发生

干涉，随经处理器转化为干涉条纹信号。凭借这一技术，膜厚仪能够轻松应对各种透明材质，精准计算分析各层薄膜的厚度。

测试结果

在静态测试环境下，如下图所示，可测量2nm及以上的膜厚。而在在机构抖动模拟测试情况下，可测量3.5nm及以上的膜厚。因此使用我公司膜厚仪检测光刻胶30nm-35um的厚度是可实现的。